三星宣布3nm芯片成功流片

据报道,三星宣布,3nm制程技术已经正式流片。据介绍,三星的3nm制程采用的是GAA架构,性能优于台积电的3nm FinFET架构。三星在3nm制程的流片进度与新思科技合作完成,目的在于加速为GAA架构的生产流程提供高度优化的参考方法。三星的3nm制程采用不同于台积电或英特尔所采用的FinFET的架构,采用GAA结构。因此,三星采用了新思科技的Fusion Design Platform。

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